Профстандарт "40.039 Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров"

Приказ Минтруда России от 22.04.2021 N 271н "Об утверждении профессионального стандарта "Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров" (Зарегистрировано в Минюсте России 24.05.2021 N 63606)

Функциональная карта профессионального стандарта

Обобщенные трудовые функции			Возможные наименования должностей, профессий	Требования к образованию и обучению	Требования к опыту практической работы	Трудовые функции			Трудовые действия
код	наименование	уровень квалификации				наименование	код	уровень (подуровень) квалификации
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
A	Разработка новой модели полупроводникового лазера	7	Ведущий инженер-конструктор	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями	Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера	A/01.7	7	Составление плана поиска различных типов лазеров с характеристиками, близкими к характеристикам разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Проведение поиска лазеров с близкими характеристиками в специальной научной и научно-технической литературе, в современных источниках информации согласно составленному плану
									Определение по результатам анализа специальной научной и научно-технической литературы конструкции и технологии изготовления разрабатываемого полупроводникового лазера
						Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера	A/02.7	7	Постановка задачи и определение набора параметров, с учетом которых должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Разработка математической программы и компьютерное моделирование параметров разрабатываемого полупроводникового лазера
									Определение по результатам расчетов требований к полупроводниковой гетероструктуре и конструкции излучающего элемента лазера
						Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера	A/03.7	7	Анализ возможности реализации расчетных параметров в различных вариантах конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 4	Заявка на обучение
									Разработка совместно с технологами технологического маршрута изготовления лазера
									Внесение предложений о разработке новых технологических процессов изготовления новой модели полупроводникового лазера
									Внесение предложений о необходимости приобретения или разработки нового оборудования для изготовления новой модели полупроводникового лазера
									Согласование сроков разработки новых технологических операций изготовления новой модели полупроводникового лазера
						Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера	A/04.7	7	Обсуждение конструкции новой модели полупроводникового лазера с подразделениями-соисполнителями, разработка технических заданий и исходных данных, необходимых для оформления конструкторской документации на разрабатываемый полупроводниковый лазер и еще 2	Заявка на обучение
									Согласование разработанной конструкторской документации с технологами с учетом особенностей технологического маршрута изготовления полупроводникового лазера
									Согласование конструкторской документации на изготовление новой модели полупроводниковых лазеров с заказчиком
						Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера	A/05.7	7	Подготовка исходных данных для проведения патентного поиска с целью выявления уже запатентованных схем реализации лазера данного типа и еще 3	Заявка на обучение
									Анализ материалов конференций, совещаний и презентаций, выявление проблем, связанных с разрабатываемой моделью полупроводникового лазера
									Представление и утверждение у заказчика перечня результатов научно-технической и интеллектуальной деятельности по созданию новой модели полупроводникового лазера
									Подготовка документов на получение патента по результатам теоретических и экспериментальных исследований новой модели полупроводникового лазера
B	Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера	7	Начальник группы	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями	Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера	B/01.7	7	Составление перечня параметров, подлежащих контролю при испытаниях новой модели полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания и еще 4	Заявка на обучение
									Разработка и согласование программы метрологического обеспечения при проведении испытаний новой модели полупроводникового лазера
									Согласование со службами организации документации, в соответствии с которой проводятся контроль и испытания новой модели полупроводникового лазера
									Разработка программы и методики проведения испытаний новой модели полупроводникового лазера
									Разработка методик проведения измерений параметров лазерного излучения новой модели полупроводникового лазера
						Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием	B/02.7	7	Разработка проекта технических условий на новую модель полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Разработка сопроводительной документации на новую модель полупроводникового лазера
									Проведение метрологической экспертизы параметров новой модели полупроводникового лазера согласно техническому заданию
						Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров	B/03.7	7	Разработка частных технических заданий и исходных данных для оформления конструкторской документации на оснастку, необходимую при проведении измерений параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Оформление заявок на изготовление службами организации оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемой модели полупроводниковых лазеров
									Оформление договоров с организациями-контрагентами на изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров
						Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров	B/04.7	7	Разработка технического задания на поставку организациями-контрагентами материалов, комплектующих и оборудования для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров и еще 3	Заявка на обучение
									Согласование со службой закупок организации вопросов закупки материалов и оборудования, изменения характеристик оборудования и сроков его поставки
									Согласование со службами организации вопросов размещения и подключения полученного нового оборудования, необходимого для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров
									Согласование со службами организации вопросов создания и оснащения новых рабочих мест для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров с использованием полученного нового оборудования
						Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания	B/05.7	7	Испытание разработанного полупроводникового лазера и еще 3	Заявка на обучение
									Проведение корректировки конструкторской и технологической документации по результатам испытаний разработанного полупроводникового лазера
									Согласование корректировок конструкторской и технологической документации
									Оформление документов для приемки работы по проведению испытаний разработанного полупроводникового лазера
C	Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера	7	Начальник лаборатории	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями	Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера	C/01.7	7	Составление перечня оборудования, необходимого для производства новой модели полупроводникового лазера и еще 3	Заявка на обучение
									Составление перечня оснастки, необходимой для производства новой модели полупроводникового лазера
									Подготовка исходных данных для заключения договоров на изготовление и поставку оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера
									Разработка плана-графика подготовки производства, технической документации, необходимой для организации выпуска новой модели полупроводникового лазера
						Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера	C/02.7	7	Подготовка исходных данных для оснащения рабочих мест оборудованием для осуществления контроля параметров и проведения испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера и еще 4	Заявка на обучение
									Согласование со службами организации планировки рабочих мест, вопросов энергопотребления, электробезопасности и пожаробезопасности
									Организация работ по монтажу и сборке оборудования, необходимого для проведения испытаний разработанного полупроводникового лазера, приобретенного для новых рабочих мест
									Организация работ и контроль ввода в эксплуатацию оборудования, используемого на новых рабочих местах
									Согласование со службами организации плана проведения метрологической аттестации рабочих мест
						Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера	C/03.7	7	Согласование со службами организации организационно-технологических мероприятий по изготовлению опытной партии разработанных полупроводниковых лазеров и еще 2	Заявка на обучение
									Проведение совместно с технологами контроля выполнения технологических операций при изготовлении опытной партии разработанных полупроводниковых лазеров
									Принятие решения о корректировке технологической документации с целью устранения недостатков, выявленных в ходе изготовления опытной партии полупроводниковых лазеров новой модели
						Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания	C/04.7	7	Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Проведение корректировки конструкторской и технологической документации по результатам испытаний опытных образцов полупроводникового лазера
									Оформление документов для приемки работы по проведению испытаний опытных образцов полупроводникового лазера
D	Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера	7	Начальник отдела	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями	Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе	D/01.7	7	Согласование методик контроля параметров новой модели полупроводникового лазера в организации-изготовителе и еще 2	Заявка на обучение
									Проведение корректировки текстовой и графической документации
									Внесение предложений по корректировке методов контроля параметров новой модели полупроводникового лазера, измерительной оснастки с учетом условий производства в организации-изготовителе
						Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику	D/02.7	7	Согласование методики входного контроля параметров полупроводниковых лазеров с учетом технических возможностей организации заказчика и еще 2	Заявка на обучение
									Согласование изменений в измерительной оснастке, используемой заказчиком при проведении входного контроля параметров полупроводниковых лазеров
									Проведение корректировки соответствующих разделов технических условий на поставляемую модель полупроводникового лазера
						Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере	D/03.7	7	Подготовка выставочных образцов новой модели полупроводникового лазера, обсуждение вопросов дизайна выставочных макетов и еще 2	Заявка на обучение
									Подготовка публикаций, сообщений и презентаций о результатах разработки новой модели полупроводникового лазера
									Публикация материалов на конференциях, совещаниях и презентациях, связанных с разработанной моделью полупроводникового лазера
						Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера	D/04.7	7	Анализ недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Корректировка технической документации по результатам анализа недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера
									Проведение типовых испытаний выпускаемой модели полупроводникового лазера для подтверждения корректности внесенных в ходе производства и эксплуатации изделия изменений в техническую документацию
						Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров	D/05.7	7	Анализ факторов, влияющих на выход годных изделий в условиях серийного производства новой модели полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Поиск решений по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных изделий в условиях серийного производства новой модели полупроводникового лазера
									Согласование предложений по корректировке методов контроля параметров изделий в процессе серийного производства новой модели полупроводникового лазера
						Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений	D/06.7	7	Согласование корректировки методик проверок параметров выпускаемых полупроводниковых лазеров и еще 2	Заявка на обучение
									Согласование объема типовых испытаний, подтверждающих соответствие параметров полупроводникового лазера требованиям технической документации
									Согласование решений о внесении изменений в действующую документацию при положительных результатах типовых испытаний полупроводниковых лазеров
E	Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера	7	• Заместитель генерального директора • Руководитель проекта	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями	Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера	E/01.7	7	Обсуждение с заказчиком условий эксплуатации разрабатываемой модели полупроводникового лазера и еще 3	Заявка на обучение
									Уточнение требований к параметрам разрабатываемой модели полупроводникового лазера
									Проведение патентного поиска аналогов разрабатываемого полупроводникового лазера
									Проведение сравнительного анализа изделий-аналогов
						Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации	E/02.7	7	Согласование с заказчиком сроков окончания этапов разработки новой модели полупроводникового лазера и проекта в целом и еще 2	Заявка на обучение
									Определение с заказчиком объема документации, представляемой по результатам выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
									Согласование с заказчиком характеристик образцов новой модели полупроводникового лазера, поставляемых на разных этапах выполнения проекта
						Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера	E/03.7	7	Составление перечня оборудования, материалов и комплектующих изделий, которые должны быть приобретены для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера и еще 2	Заявка на обучение
									Выбор организаций, которые должны быть привлечены к изготовлению необходимых материалов или оборудования для производства полупроводниковых лазеров
									Согласование с заказчиком условий привлечения организаций-контрагентов
						Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера	E/04.7	7	Подготовка исходных данных, необходимых для оформления договора с заказчиком на выполнение проекта разработки новой модели полупроводникового лазера и еще 4	Заявка на обучение
									Подготовка исходных данных, необходимых для оформления договоров с контрагентами и соисполнителями на выполнение проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
									Подготовка исходных данных, необходимых для оформления разрешений на использование драгоценных металлов при изготовлении полупроводниковых лазеров
									Разработка предложений по созданию дополнительных рабочих мест, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
									Подготовка технико-экономического обоснования проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
						Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера	E/05.7	7	Утверждение планов проведения исследовательских и проектных работ по созданию новой модели полупроводникового лазера, направленных на оптимизацию имеющихся и внедрение новых технологических процессов и еще 2	Заявка на обучение
									Рассмотрение вопросов финансирования и сроков проведения разработки новой модели полупроводникового лазера
									Оценка уровня востребованности и конкурентоспособности разрабатываемой модели полупроводникового лазера