Приказ Минтруда России от 22.04.2021 N 271н "Об утверждении профессионального стандарта "Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров" (Зарегистрировано в Минюсте России 24.05.2021 N 63606)
Обобщенные трудовые функции |
Возможные наименования должностей, профессий |
Требования к образованию и обучению |
Требования к опыту практической работы |
Трудовые функции |
Трудовые действия |
|
код |
наименование |
уровень квалификации |
наименование |
код |
уровень (подуровень) квалификации |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
A |
Разработка новой модели полупроводникового лазера |
7 |
Ведущий инженер-конструктор
|
Высшее образование - специалитет, магистратура
|
Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
|
Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
A/01.7 |
7 |
Составление плана поиска различных типов лазеров с характеристиками, близкими к характеристикам разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Проведение поиска лазеров с близкими характеристиками в специальной научной и научно-технической литературе, в современных источниках информации согласно составленному плану |
Определение по результатам анализа специальной научной и научно-технической литературы конструкции и технологии изготовления разрабатываемого полупроводникового лазера |
Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера |
A/02.7 |
7 |
Постановка задачи и определение набора параметров, с учетом которых должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Разработка математической программы и компьютерное моделирование параметров разрабатываемого полупроводникового лазера |
Определение по результатам расчетов требований к полупроводниковой гетероструктуре и конструкции излучающего элемента лазера |
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера |
A/03.7 |
7 |
Анализ возможности реализации расчетных параметров в различных вариантах конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера и еще 4 |
Заявка на обучение
|
Разработка совместно с технологами технологического маршрута изготовления лазера |
Внесение предложений о разработке новых технологических процессов изготовления новой модели полупроводникового лазера |
Внесение предложений о необходимости приобретения или разработки нового оборудования для изготовления новой модели полупроводникового лазера |
Согласование сроков разработки новых технологических операций изготовления новой модели полупроводникового лазера |
Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера |
A/04.7 |
7 |
Обсуждение конструкции новой модели полупроводникового лазера с подразделениями-соисполнителями, разработка технических заданий и исходных данных, необходимых для оформления конструкторской документации на разрабатываемый полупроводниковый лазер и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Согласование разработанной конструкторской документации с технологами с учетом особенностей технологического маршрута изготовления полупроводникового лазера |
Согласование конструкторской документации на изготовление новой модели полупроводниковых лазеров с заказчиком |
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера |
A/05.7 |
7 |
Подготовка исходных данных для проведения патентного поиска с целью выявления уже запатентованных схем реализации лазера данного типа и еще 3 |
Заявка на обучение
|
Анализ материалов конференций, совещаний и презентаций, выявление проблем, связанных с разрабатываемой моделью полупроводникового лазера |
Представление и утверждение у заказчика перечня результатов научно-технической и интеллектуальной деятельности по созданию новой модели полупроводникового лазера |
Подготовка документов на получение патента по результатам теоретических и экспериментальных исследований новой модели полупроводникового лазера |
B |
Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера |
7 |
Начальник группы
|
Высшее образование - специалитет, магистратура
|
Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
|
Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера |
B/01.7 |
7 |
Составление перечня параметров, подлежащих контролю при испытаниях новой модели полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания и еще 4 |
Заявка на обучение
|
Разработка и согласование программы метрологического обеспечения при проведении испытаний новой модели полупроводникового лазера |
Согласование со службами организации документации, в соответствии с которой проводятся контроль и испытания новой модели полупроводникового лазера |
Разработка программы и методики проведения испытаний новой модели полупроводникового лазера |
Разработка методик проведения измерений параметров лазерного излучения новой модели полупроводникового лазера |
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием |
B/02.7 |
7 |
Разработка проекта технических условий на новую модель полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Разработка сопроводительной документации на новую модель полупроводникового лазера |
Проведение метрологической экспертизы параметров новой модели полупроводникового лазера согласно техническому заданию |
Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
B/03.7 |
7 |
Разработка частных технических заданий и исходных данных для оформления конструкторской документации на оснастку, необходимую при проведении измерений параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Оформление заявок на изготовление службами организации оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемой модели полупроводниковых лазеров |
Оформление договоров с организациями-контрагентами на изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
B/04.7 |
7 |
Разработка технического задания на поставку организациями-контрагентами материалов, комплектующих и оборудования для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров и еще 3 |
Заявка на обучение
|
Согласование со службой закупок организации вопросов закупки материалов и оборудования, изменения характеристик оборудования и сроков его поставки |
Согласование со службами организации вопросов размещения и подключения полученного нового оборудования, необходимого для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
Согласование со службами организации вопросов создания и оснащения новых рабочих мест для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров с использованием полученного нового оборудования |
Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания |
B/05.7 |
7 |
Испытание разработанного полупроводникового лазера и еще 3 |
Заявка на обучение
|
Проведение корректировки конструкторской и технологической документации по результатам испытаний разработанного полупроводникового лазера |
Согласование корректировок конструкторской и технологической документации |
Оформление документов для приемки работы по проведению испытаний разработанного полупроводникового лазера |
C |
Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера |
7 |
Начальник лаборатории
|
Высшее образование - специалитет, магистратура
|
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
|
Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера |
C/01.7 |
7 |
Составление перечня оборудования, необходимого для производства новой модели полупроводникового лазера и еще 3 |
Заявка на обучение
|
Составление перечня оснастки, необходимой для производства новой модели полупроводникового лазера |
Подготовка исходных данных для заключения договоров на изготовление и поставку оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера |
Разработка плана-графика подготовки производства, технической документации, необходимой для организации выпуска новой модели полупроводникового лазера |
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера |
C/02.7 |
7 |
Подготовка исходных данных для оснащения рабочих мест оборудованием для осуществления контроля параметров и проведения испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера и еще 4 |
Заявка на обучение
|
Согласование со службами организации планировки рабочих мест, вопросов энергопотребления, электробезопасности и пожаробезопасности |
Организация работ по монтажу и сборке оборудования, необходимого для проведения испытаний разработанного полупроводникового лазера, приобретенного для новых рабочих мест |
Организация работ и контроль ввода в эксплуатацию оборудования, используемого на новых рабочих местах |
Согласование со службами организации плана проведения метрологической аттестации рабочих мест |
Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера |
C/03.7 |
7 |
Согласование со службами организации организационно-технологических мероприятий по изготовлению опытной партии разработанных полупроводниковых лазеров и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Проведение совместно с технологами контроля выполнения технологических операций при изготовлении опытной партии разработанных полупроводниковых лазеров |
Принятие решения о корректировке технологической документации с целью устранения недостатков, выявленных в ходе изготовления опытной партии полупроводниковых лазеров новой модели |
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания |
C/04.7 |
7 |
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Проведение корректировки конструкторской и технологической документации по результатам испытаний опытных образцов полупроводникового лазера |
Оформление документов для приемки работы по проведению испытаний опытных образцов полупроводникового лазера |
D |
Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера |
7 |
Начальник отдела
|
Высшее образование - специалитет, магистратура
|
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями
|
Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе |
D/01.7 |
7 |
Согласование методик контроля параметров новой модели полупроводникового лазера в организации-изготовителе и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Проведение корректировки текстовой и графической документации |
Внесение предложений по корректировке методов контроля параметров новой модели полупроводникового лазера, измерительной оснастки с учетом условий производства в организации-изготовителе |
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику |
D/02.7 |
7 |
Согласование методики входного контроля параметров полупроводниковых лазеров с учетом технических возможностей организации заказчика и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Согласование изменений в измерительной оснастке, используемой заказчиком при проведении входного контроля параметров полупроводниковых лазеров |
Проведение корректировки соответствующих разделов технических условий на поставляемую модель полупроводникового лазера |
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере |
D/03.7 |
7 |
Подготовка выставочных образцов новой модели полупроводникового лазера, обсуждение вопросов дизайна выставочных макетов и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Подготовка публикаций, сообщений и презентаций о результатах разработки новой модели полупроводникового лазера |
Публикация материалов на конференциях, совещаниях и презентациях, связанных с разработанной моделью полупроводникового лазера |
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера |
D/04.7 |
7 |
Анализ недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Корректировка технической документации по результатам анализа недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера |
Проведение типовых испытаний выпускаемой модели полупроводникового лазера для подтверждения корректности внесенных в ходе производства и эксплуатации изделия изменений в техническую документацию |
Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров |
D/05.7 |
7 |
Анализ факторов, влияющих на выход годных изделий в условиях серийного производства новой модели полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Поиск решений по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных изделий в условиях серийного производства новой модели полупроводникового лазера |
Согласование предложений по корректировке методов контроля параметров изделий в процессе серийного производства новой модели полупроводникового лазера |
Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений |
D/06.7 |
7 |
Согласование корректировки методик проверок параметров выпускаемых полупроводниковых лазеров и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Согласование объема типовых испытаний, подтверждающих соответствие параметров полупроводникового лазера требованиям технической документации |
Согласование решений о внесении изменений в действующую документацию при положительных результатах типовых испытаний полупроводниковых лазеров |
E |
Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера |
7 |
• Заместитель генерального директора • Руководитель проекта
|
Высшее образование - специалитет, магистратура
|
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями
|
Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
E/01.7 |
7 |
Обсуждение с заказчиком условий эксплуатации разрабатываемой модели полупроводникового лазера и еще 3 |
Заявка на обучение
|
Уточнение требований к параметрам разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
Проведение патентного поиска аналогов разрабатываемого полупроводникового лазера |
Проведение сравнительного анализа изделий-аналогов |
Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации |
E/02.7 |
7 |
Согласование с заказчиком сроков окончания этапов разработки новой модели полупроводникового лазера и проекта в целом и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Определение с заказчиком объема документации, представляемой по результатам выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
Согласование с заказчиком характеристик образцов новой модели полупроводникового лазера, поставляемых на разных этапах выполнения проекта |
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера |
E/03.7 |
7 |
Составление перечня оборудования, материалов и комплектующих изделий, которые должны быть приобретены для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Выбор организаций, которые должны быть привлечены к изготовлению необходимых материалов или оборудования для производства полупроводниковых лазеров |
Согласование с заказчиком условий привлечения организаций-контрагентов |
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
E/04.7 |
7 |
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления договора с заказчиком на выполнение проекта разработки новой модели полупроводникового лазера и еще 4 |
Заявка на обучение
|
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления договоров с контрагентами и соисполнителями на выполнение проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления разрешений на использование драгоценных металлов при изготовлении полупроводниковых лазеров |
Разработка предложений по созданию дополнительных рабочих мест, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
Подготовка технико-экономического обоснования проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера |
E/05.7 |
7 |
Утверждение планов проведения исследовательских и проектных работ по созданию новой модели полупроводникового лазера, направленных на оптимизацию имеющихся и внедрение новых технологических процессов и еще 2 |
Заявка на обучение
|
Рассмотрение вопросов финансирования и сроков проведения разработки новой модели полупроводникового лазера |
Оценка уровня востребованности и конкурентоспособности разрабатываемой модели полупроводникового лазера |