Профстандарт "40.039 Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров"

Приказ Минтруда России от 22.04.2021 N 271н "Об утверждении профессионального стандарта "Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров" (Зарегистрировано в Минюсте России 24.05.2021 N 63606)

Функциональная карта профессионального стандарта

Обобщенные трудовые функции Возможные наименования должностей, профессий Требования к образованию и обучению Требования к опыту практической работы Трудовые функции Трудовые действия
код наименование уровень квалификации наименование код уровень (подуровень) квалификации
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
A Разработка новой модели полупроводникового лазера 7
Ведущий инженер-конструктор
Высшее образование - специалитет, магистратура
Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера A/01.7 7 Составление плана поиска различных типов лазеров с характеристиками, близкими к характеристикам разрабатываемого полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера A/02.7 7 Постановка задачи и определение набора параметров, с учетом которых должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера A/03.7 7 Анализ возможности реализации расчетных параметров в различных вариантах конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера
и еще 4
Заявка на обучение
Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера A/04.7 7 Обсуждение конструкции новой модели полупроводникового лазера с подразделениями-соисполнителями, разработка технических заданий и исходных данных, необходимых для оформления конструкторской документации на разрабатываемый полупроводниковый лазер
и еще 2
Заявка на обучение
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера A/05.7 7 Подготовка исходных данных для проведения патентного поиска с целью выявления уже запатентованных схем реализации лазера данного типа
и еще 3
Заявка на обучение
B Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера 7
Начальник группы
Высшее образование - специалитет, магистратура
Не менее одного года в научно-исследовательских и конструкторских подразделениях профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера B/01.7 7 Составление перечня параметров, подлежащих контролю при испытаниях новой модели полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания
и еще 4
Заявка на обучение
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием B/02.7 7 Разработка проекта технических условий на новую модель полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров B/03.7 7 Разработка частных технических заданий и исходных данных для оформления конструкторской документации на оснастку, необходимую при проведении измерений параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров B/04.7 7 Разработка технического задания на поставку организациями-контрагентами материалов, комплектующих и оборудования для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров
и еще 3
Заявка на обучение
Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания B/05.7 7 Испытание разработанного полупроводникового лазера
и еще 3
Заявка на обучение
C Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера 7
Начальник лаборатории
Высшее образование - специалитет, магистратура
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений профильных организаций, занимающихся лазерными технологиями
Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера C/01.7 7 Составление перечня оборудования, необходимого для производства новой модели полупроводникового лазера
и еще 3
Заявка на обучение
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера C/02.7 7 Подготовка исходных данных для оснащения рабочих мест оборудованием для осуществления контроля параметров и проведения испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера
и еще 4
Заявка на обучение
Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера C/03.7 7 Согласование со службами организации организационно-технологических мероприятий по изготовлению опытной партии разработанных полупроводниковых лазеров
и еще 2
Заявка на обучение
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания C/04.7 7 Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
D Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера 7
Начальник отдела
Высшее образование - специалитет, магистратура
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями
Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе D/01.7 7 Согласование методик контроля параметров новой модели полупроводникового лазера в организации-изготовителе
и еще 2
Заявка на обучение
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику D/02.7 7 Согласование методики входного контроля параметров полупроводниковых лазеров с учетом технических возможностей организации заказчика
и еще 2
Заявка на обучение
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере D/03.7 7 Подготовка выставочных образцов новой модели полупроводникового лазера, обсуждение вопросов дизайна выставочных макетов
и еще 2
Заявка на обучение
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера D/04.7 7 Анализ недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров D/05.7 7 Анализ факторов, влияющих на выход годных изделий в условиях серийного производства новой модели полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений D/06.7 7 Согласование корректировки методик проверок параметров выпускаемых полупроводниковых лазеров
и еще 2
Заявка на обучение
E Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера 7
• Заместитель генерального директора
• Руководитель проекта
Высшее образование - специалитет, магистратура
Не менее пяти лет в должности руководителя научно-исследовательских подразделений организаций, занимающихся лазерными технологиями
Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера E/01.7 7 Обсуждение с заказчиком условий эксплуатации разрабатываемой модели полупроводникового лазера
и еще 3
Заявка на обучение
Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации E/02.7 7 Согласование с заказчиком сроков окончания этапов разработки новой модели полупроводникового лазера и проекта в целом
и еще 2
Заявка на обучение
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера E/03.7 7 Составление перечня оборудования, материалов и комплектующих изделий, которые должны быть приобретены для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
и еще 2
Заявка на обучение
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера E/04.7 7 Подготовка исходных данных, необходимых для оформления договора с заказчиком на выполнение проекта разработки новой модели полупроводникового лазера
и еще 4
Заявка на обучение
Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера E/05.7 7 Утверждение планов проведения исследовательских и проектных работ по созданию новой модели полупроводникового лазера, направленных на оптимизацию имеющихся и внедрение новых технологических процессов
и еще 2
Заявка на обучение