Профстандарт "40.007 Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем"

Приказ Минтруда России от 03.02.2014 N 69н (ред. от 12.12.2016) "Об утверждении проф ессионального стандарта "Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем" (Зарегистрировано в Минюсте России 20.03.2014 N 31666)

Функциональная карта профессионального стандарта

Обобщенные трудовые функции			Возможные наименования должностей, профессий	Требования к образованию и обучению	Требования к опыту практической работы	Трудовые функции			Трудовые действия
код	наименование	уровень квалификации				наименование	код	уровень (подуровень) квалификации
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
A	Моделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ	7	• Ведущий инженер-технолог • Инженер-технолог	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года работы в должности инженера-технолога	Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ	A/01.7	7	Анализ применения материалов в интегральной электронике СВЧ, основанной на гетероэпитаксиальных структурах и еще 2	Заявка на обучение
									Анализ физических и технологических принципов разработки и изготовления активных элементов с применением новых и традиционных материалов СВЧ (гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, низкобарьерных диодов и др.)
									Прогноз применения материалов в наногетероструктурной электронике для определения политики организации в области производства наногетероструктурных МИС СВЧ
						Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ	A/02.7	7	Анализ тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ и еще 2	Заявка на обучение
									Разработка технически и экономически обоснованных планов развития новых производств или модернизации существующих для освоения новых направлений в производстве МИС СВЧ
									Представление планов развития для обсуждения и принятия на научно-техническом совете (НТС)
						Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ	A/03.7	7	Анализ прогнозных оценок тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ и еще 6	Заявка на обучение
									Постановка целей и задач проведения опытно-технологических работ по разработке новых ТП производства МИС СВЧ
									Декомпозиция задач ОТР, выделение базовых ТП и установление временных рамок и последовательности их разработки
									Представление планов развития для обсуждения и принятия на НТС
									Формулирование ТЗ для определенной последовательности разработки базовых технологических процессов
									Оформление ТЗ на ОТР
									Представление и защита разработанных ТЗ на НТС
						Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD)	A/04.7	7	Анализ требований КД на МИС СВЧ и еще 5	Заявка на обучение
									Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры
									Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов
									Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования
									Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов и др.
									Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД
						Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования	A/05.7	7	Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов и еще 4	Заявка на обучение
									Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков
									Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ
									Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД
									Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации
B	Подготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства	7	• Ведущий инженер-технолог • Инженер-технолог	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года работы в должности инженера-технолога	Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации	B/01.7	7	Анализ КД и ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к технологии производства и еще 5	Заявка на обучение
									Обоснование выбора маршрутной технологии
									Разработка маршрутных карт ТП изготовления МИС СВЧ
									Расчет технологических режимов операций
									Разработка операционных карт ТП
									Оформление технологической документации на ТП, согласование ее в соответствии с установленными регламентами
						Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ	B/02.7	7	Тестовый запуск, сопровождение и контроль выполнения технологических операций в ходе изготовления экспериментальной партии МИС СВЧ и еще 3	Заявка на обучение
									Анализ данных измерения параметров тестовых структур МИС СВЧ, внесение предложений по коррекции режимов в технологическую документацию
									Сопровождение установившегося технологического процесса производства МИС СВЧ: формирование баз данных измерения и контроля, составление протоколов и актов контроля параметров МИС
									Анализ данных измерений и контроля, предложения об изменении параметров ТП
						Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ	B/03.7	7	Анализ ТЗ в части требований к параметрам исходных материалов и выполнения отдельных операций при изготовлении МИС СВЧ и еще 6	Заявка на обучение
									Разработка методик, выбор оборудования входного контроля материалов, используемых в производстве МИС СВЧ: подложек, металлов, диэлектриков и др.
									Разработка методик, выбор оборудования межоперационного контроля на тестовых структурах и элементах МИС СВЧ
									Разработка методик, выбор оборудования выходного контроля на тестовых структурах и МИС СВЧ
									Руководство проведением всех видов контроля
									Формирование базы данных всех видов контроля
									Статистическая обработка данных контроля с оформлением протоколов и заключений
						Реализация технологии на основе электронной литографии	B/04.7	7	Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе электронной литографии и еще 7	Заявка на обучение
									Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для проведения электронной литографии
									Руководство подготовкой подложек для проведения операций экспонирования фоторезистов на установке электронной литографии
									Подготовка установки электронной литографии к проведению операций прорисовки топологии
									Руководство реализацией операций резист-процессинга после экспонирования подложек
									Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка электронной литографии
									Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
									Регламентные работы по тестированию установки электронной литографии
						Реализация технологии на основе проекционной литографии	B/5.7	7	Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе проекционной литографии и еще 8	Заявка на обучение
									Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов
									Руководство изготовлением комплекта фотошаблонов в соответствии с ТЗ
									Руководство подготовкой подложек для проведения последовательности операций ТП, основанного на проекционной литографии (фотолитографии)
									Подготовка установки проекционной литографии к проведению операций
									Руководство реализацией последовательности операций изготовления МИС СВЧ после экспонирования подложек
									Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка проекционной литографии
									Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
									Регламентные работы по тестированию установок проекционной литографии
						Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций	B/6.7	7	Разработка методик статистической обработки данных по уровню отклонений параметров и брака на пластинах наногетероструктурных МИС СВЧ и еще 4	Заявка на обучение
									Анализ причин отклонений, отказов и связывание их с исходными параметрами материалов гетероструктур, технологических операций, топологии
									Составление программы дополнительных исследований и измерений
									Подготовка рекомендации по устранению причин отклонений параметров и брака МИС СВЧ
									Разработка ТЗ для корректировки технологических операций и других мероприятий на основе анализа причин отклонений параметров и отказов
C	Осуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ	7	• Ведущий инженер-технолог • Инженер-технолог	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года работы в должности инженера-технолога	Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике	C/1.7	7	Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры и еще 4	Заявка на обучение
									Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии
									Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев
									Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD
									Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур
						Подготовка и квалификация машин к росту продукции	C/2.7	7	Выполнение регламента подготовки машины к проведению ТП выращивания наногетероструктуры и еще 2	Заявка на обучение
									Подготовка материалов для проведения эпитаксии
									Проведение роста наногетероструктур в соответствии с ТП
						Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев	C/3.7	7	Выбор методов и технических средств для тестирования эпитаксиальных слоев наногетероструктур и еще 3	Заявка на обучение
									Измерение основных параметров в процессе эпитаксии
									Измерение параметров выращенных структур при завершении процесса эпитаксии
									Формирование базы данных результатов тестирования и измерения
						Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика	C/4.7	7	Формирование базы данных параметров установки во время реализации процесса роста и еще 3	Заявка на обучение
									Анализ путем статистической обработки точности выполнения операций и результаты роста
									Анализ данных статистической обработки об отклонениях в реализации роста и выработка корректирующих действий в следующей загрузке
									Оформление сдаточных документов с сертификатом наногетероструктур для заказчика
D	Проведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ	7	Ведущий инженер-технолог	Высшее образование - специалитет, магистратура	Не менее одного года работы в должности инженера-технолога	Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии	D/1.7	7	Анализ экспериментальных данных предыдущих разработок и еще 3	Заявка на обучение
									Оценка достижимости параметров путем моделирования основных электрических и эксплуатационных параметров, а также технологии изготовления активных и пассивных элементов МИС СВЧ
									Организация проведения экспертных оценок достижимости заданных параметров по ТЗ
									Разработка предложений о коррекции ТЗ на ОТР (в случае критичности достижения отдельных параметров)
						Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ	D/2.7	7	Анализ технического задания на ОТР, определение базовых технологических процессов для реализации целей ОТР и еще 4	Заявка на обучение
									Обоснование применения материалов, используемых при производстве МИС СВЧ
									Разработка перечня оборудования для реализации технологического процесса производства МИС
									Разработка технико-экономического обоснования выбранных решений
									Защита на НТС обоснованных технологических решений реализации ОТР
						Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации	D/3.7	7	Разработка комплекса согласованных мероприятий по улучшению параметров технологического процесса и МИС СВЧ и еще 1	Заявка на обучение
									Системный анализ влияния принимаемых согласованных решений на качественное и количественное улучшение основных параметров технологического процесса и МИС СВЧ
						Управление командой по реализации ОРТ	D/4.7	7		Заявка на обучение